0,00 Kčbez DPH
0,00 Kčs DPH
Uvedené ceny jsou bez DPH.
GoPay
Ochrana soukromí
Kliknutím na tlačítko „Přijmout vše“, poskytnete souhlas s využitím souborů cookie na tomto zařízení a tomto prohlížeči. Soubory cookie jsou využívány pro zajištění funkčnosti stránek, analýzu dat a marketing.
Pro podrobné nastavení a popis cookies klikněte na tlačítko „Nastavení“, nebo si můžete zvolit rozsah využití souborů cookies pomocí nastavení níže.
Detail
obrázek je pouze ilustrativní
IRF8910 SMD T/R
Číslo: 03307
Originální název: IRF8910PBF-GURT
Pouzdro: SO8 3.9mm
Popis: Tranzistor MFET-N 2x,Uds=20V,Id=10A,P=2.0W,Ron=13.4mOh
Výrobce: IRF - International Rectifier
Oblíbená položka:
Dokumenty: dokumentECOM_03307_IRF8910-SMD-T-R.pdf
Zpráva o chybě
Skladem: 50 ks
Minimum: 1 ks
Malé balení: 95 ks
Cena 1 ks s DPH: 15,4103 Kč
Cena 1 ks bez DPH: 12,7358 Kč
≥3 ks (bez DPH): 11,1441 Kč
≥5 ks (bez DPH): 10,5072 Kč
≥10 ks (bez DPH): 9,7108 Kč
Přidat do porovnání
Součástky se stejnou hodnotou parametrů:

Popis parametru Parametr Najít shodné
Výrobce IRF
Pouzdro SO8 3.9mm
Integrovaná funkční dioda uvnitř součástky ano
Nejvyšší dovolený proud elektrodou Drain [A] 10
Jmenovité zatížení [W] 2
Počet prvků v pouzdře 2
Rezistivita otevřeného kanálu Drain-Source [Ohm] 0,0134
Typ MFET-N
Nejvyšší dovolené napětí mezi elektrodami Drain-Source [V] 20
Položka nemá související položky.