po registraci 9 % sleva + další výhody
0,00 Kčbez DPH
0,00 Kčs DPH
po registraci 9 % sleva + další výhody
Uvedené ceny jsou bez DPH.
GoPay
Ochrana soukromí
Kliknutím na tlačítko „Přijmout vše“, poskytnete souhlas s využitím souborů cookie na tomto zařízení a tomto prohlížeči. Soubory cookie jsou využívány pro zajištění funkčnosti stránek, analýzu dat a marketing.
Pro podrobné nastavení a popis cookies klikněte na tlačítko „Nastavení“, nebo si můžete zvolit rozsah využití souborů cookies pomocí nastavení níže.
IRF8910 SMD T/R
obrázek je pouze ilustrativní

IRF8910 SMD T/R

Číslo:
03307
EOLUkončena výroba
Originální název: IRF8910PBF-GURT
Pouzdro: SO8 3.9mm
Popis: Tranzistor MFET-N 2x, Uds=20V, Id=10A, P=2.0W, Ron=13.4mOh
Výrobce: IRF - International Rectifier
RoHS:
Dokumenty: dokumentECOM_03307_IRF8910-SMD-T-R.pdf
Zpráva o chybě
Skladem: 50 ks
Minimum: 1 ks
Malé balení: 95 ks
Baleno v pásu
Po registraci získáte na prodejní ceny slevu 9 % + další výhody.
Cena 1 ks s DPH: 15,4103 Kč
Cena 1 ks bez DPH: 12,7358 Kč
≥3 ks (bez DPH): 11,1441 Kč
≥5 ks (bez DPH): 10,5072 Kč
≥10 ks (bez DPH): 9,7108 Kč
Součástky se stejnou hodnotou parametrů:

Popis parametru Parametr Najít shodné
Výrobce IRF
Pouzdro SO8 3.9mm
Typ MFET-N
Počet prvků v pouzdře 2
Nejvyšší dovolené napětí mezi elektrodami Drain-Source [V] 20
Nejvyšší dovolený proud elektrodou Drain [A] 10
Jmenovité zatížení [W] 2
Maximální rezistivita otevřeného kanálu Drain-Source [Ohm] 0,0134
Integrovaná funkční dioda uvnitř součástky ano
Další -
Způsob montáže součástky SMD
Počet pinů pouzdra 8
Položka nemá související položky.
Položka nemá kompatibilní položky.